GaN umsókn loftúttak

Sep 21, 2019|

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCitec) er hátæknifyrirtæki sem sérhæfir sig í framleiðslu og sölu síma fylgihluta. Helstu vörur okkar eru ferðahleðslutæki, bílahleðslutæki, USB snúrur, rafmagnsbankar og aðrar stafrænar vörur. Allar vörur eru öruggar og áreiðanlegar, með einstökum stílum. vörur standast vottorð eins og CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick o.s.frv. , Ef þú hefur áhuga á geturðu haft beint samband við ceo@schitec.com.

Vertu hlaðinn hjá SChitec á öruggan hátt

 

 

GaN umsókn loftúttak

Fæðing gallíumnítríðs kemur með það hlutverk tækniþróunar að þjóna góðu lífi mannkyns. Fjölmörg ný tækni, ný forrit og nýir markaðir eiga að vekja athygli á heimsvísu þegar GaN er að færast frá rannsóknarstofunni á markaðinn. Þessir nýmarkaðir innihalda 5G, RF, hraðhleðslu osfrv. Við nefnum nokkur af þeim sviðum þar sem GaN er nú markaðssett í stórum stíl.

RF GaN tæknin passar fullkomlega við 5G og aflmagnari grunnstöðvarinnar notar GaN. Gallíumnítríð (GaN), gallíumarseníð (GaAs) og indíumfosfíð (InP) eru þrí- og fimmgild hálfleiðaraefni sem almennt eru notuð í útvarpsbylgjum. Í samanburði við hátíðniferli eins og gallíumarseníð og indíumfosfíð gefa GaN tæki meira afl; samanborið við aflferli eins og LDCMOS og kísilkarbíð (SiC), hefur GaN betri tíðnieiginleika. Það er mikilvægt að tafarlaus bandbreidd GaN tækisins sé meiri, notkun burðarsamsöfnunartækni og undirbúningur burðarefna með hærri tíðni sé allt notað til að ná meiri bandbreidd.

Gallíumnítríð er hraðari en sílikon eða önnur þriggja og fimm gildi tæki. GaN getur náð meiri aflþéttleika. Fyrir tiltekið aflstig hefur GaN þann kost að vera lítið í stærð. Með smærri tækjum er hægt að minnka rýmd tækja, sem gerir hönnun kerfa með meiri bandbreidd auðveldari. Lykilþáttur RF hringrásarinnar er PA (Power Amplifier).

Frá núverandi notkunarsjónarmiði er aflmagnarinn aðallega samsettur af gallíumarseníð aflmagnara og viðbótarmálmoxíð hálfleiðara aflmagnara (CMOS PA), þar sem GaAs PA er aðalstraumurinn. En með tilkomu 5G munu GaAs tæki ekki geta viðhaldið mikilli samþættingu á svo háum tíðnum, svo GaN er næsti heiti reitur. Sem hálfleiðari með breitt bandbil þolir GaN hærri rekstrarspennu, sem þýðir meiri aflþéttleika og hærra rekstrarhitastig, sem leiðir til mikillar aflþéttleika, lítillar orkunotkunar, hátíðni og breiðrar bandbreiddar.

← chopmeH: PE3.0 tímabil
Hringdu í okkur